Το B32911A3333M000 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B32911A3333M000, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B32911A3333M000 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B32911A3333M000 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B32911A3333M000
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B32911A3333M000
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP FILM 0.033UF 20% 760VDC RAD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26711 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B32911A3333M000.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - DC: | 760V |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | 330V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Λήξη: | PC Pins |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) |
| Σειρά: | B32911 |
| Ακροαματικότητα: | X1 |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial |
| Αλλα ονόματα: | 495-3238 B32911A3333M |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 110°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.394" (10.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.472" (12.00mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| διηλεκτρικό υλικό: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 0.033µF Film Capacitor 330V 760V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| χωρητικότητα: | 0.033µF |
| εφαρμογές: | EMI, RFI Suppression |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B32911A3333M000
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B32911A3103K000 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 10% 760VDC RAD | Έρευνα |
|
B32911A3103M000 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 20% 760VDC RAD | Έρευνα |
 |
B32911A3333M289 | EPCOS | CAP FILM 0.033UF 20% 760VDC RAD | Έρευνα |
|
B32911A4102M000 | EPCOS | CAP FILM 1000PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
|
B32911A3103M289 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 20% 760VDC RAD | Έρευνα |
|
B32911A3103M189 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 20% 760VDC RAD | Έρευνα |
|
B32911A4103M289 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
|
B32911A3103K289 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 10% 760VDC RAD | Έρευνα |
|
B32911A3333M189 | EPCOS | CAP FILM 0.033UF 20% 760VDC RAD | Έρευνα |
|
B32911A4102M189 | EPCOS | CAP FILM 1000PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
 |
B32798G8306J | EPCOS | CAP FILM 30UF 5% 875VDC RADIAL | Έρευνα |
|
B32911A4103M189 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
|
B32911A4152M000 | EPCOS | CAP FILM 1500PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
|
B32911A4152M189 | EPCOS | CAP FILM 1500PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
|
B32798G8406K | EPCOS | CAP FILM 40UF 10% 875VDC RADIAL | Έρευνα |
|
B32911A4103M000 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
|
B32798G8306K | EPCOS | CAP FILM 30UF 10% 875VDC RAD 4LD | Έρευνα |
|
B32798G8356K | EPCOS | CAP FILM 35UF 10% 875VDC RADIAL | Έρευνα |
|
B32911A3103K189 | EPCOS | CAP FILM 10000PF 10% 760VDC RAD | Έρευνα |
|
B32911A4102M289 | EPCOS | CAP FILM 1000PF 20% 440VAC RAD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική