Το B32656T2104J000 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B32656T2104J000, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B32656T2104J000 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B32656T2104J000 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B32656T2104J000
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B32656T2104J000
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP FILM 0.1UF 5% 2KVDC RADIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26737 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B32656T2104J000.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - DC: | 2000V (2kV) |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | 700V |
| Ανοχή: | ±5% |
| Λήξη: | PC Pins |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) |
| Σειρά: | B32656 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial |
| Αλλα ονόματα: | B32656T2104J |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 100°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| μόλυβδος Απόσταση: | 1.476" (37.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.591" (15.00mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Low ESL |
| διηλεκτρικό υλικό: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 0.1µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| χωρητικότητα: | 0.1µF |
| εφαρμογές: | DC Link, DC Filtering; High Pulse, DV/DT; Snubber |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B32656T2104J000
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B32656T7274K000 | EPCOS | CAP FILM 0.27UF 10% 1.25KVDC RAD | Έρευνα |
 |
B32669B6105J | EPCOS | CAP FILM 1UF 5% 400VAC AXIAL | Έρευνα |
|
B32656T8824K000 | EPCOS | CAP FILM 0.82UF 10% 850VDC RAD | Έρευνα |
|
B32656T0474J000 | EPCOS | CAP FILM 0.47UF 5% 1KVDC RADIAL | Έρευνα |
|
B32669B6105K | EPCOS | CAP FILM 1UF 10% 400VAC AXIAL | Έρευνα |
 |
B32656S8824K565 | EPCOS | CAP FILM 0.82UF 10% 850VDC SCREW | Έρευνα |
 |
B32656T0474K000 | EPCOS | CAP FILM 0.47UF 10% 1.1KVDC RAD | Έρευνα |
 |
B32656T8684K000 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 10% 850VDC RAD | Έρευνα |
|
B32656S8684K561 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 850VDC QC TERM | Έρευνα |
|
B32656T0684K000 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 10% 1KVDC RADIAL | Έρευνα |
|
B32669B6155J | EPCOS | CAP FILM 1.5UF 5% 400VAC AXIAL | Έρευνα |
|
B32656T1224K000 | EPCOS | CAP FILM 0.22UF 10% 1.6KVDC RAD | Έρευνα |
|
B32656S8684K577 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 850VDC QC TERM | Έρευνα |
|
B32656T2124K000 | EPCOS | CAP FILM 0.12UF 10% 2KVDC RADIAL | Έρευνα |
|
B32656T7394K000 | EPCOS | CAP FILM 0.39UF 10% 1.25KVDC RAD | Έρευνα |
|
B32656T1154J000 | EPCOS | CAP FILM 0.15UF 5% 1.6KVDC RAD | Έρευνα |
|
B32656S8824K566 | EPCOS | CAP FILM 0.82UF 850VDC QC TERM | Έρευνα |
|
B32656T2104K000 | EPCOS | CAP FILM 0.1UF 10% 2KVDC RADIAL | Έρευνα |
|
B32656T1154K000 | EPCOS | CAP FILM 0.15UF 10% 1.6KVDC RAD | Έρευνα |
|
B32656T8684J000 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 5% 850VDC RADIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική