Το B25834L7475K9 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B25834L7475K9, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B25834L7475K9 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B25834L7475K9 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B25834L7475K9
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B25834L7475K9
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP FILM 4.7UF 10% 1.1KVAC SCREW
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58375 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B25834L7475K9.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - DC: | - |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | 1100V (1.1kV) |
| Ανοχή: | ±10% |
| Λήξη: | Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.575" Dia (40.00mm) |
| Σειρά: | B25834 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can |
| Αλλα ονόματα: | B25834L7475K 9 B25834L7475K009 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| μόλυβδος Απόσταση: | 1.378" (35.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 6.142" (156.00mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| διηλεκτρικό υλικό: | Polypropylene (PP), Metallized |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 4.7µF Film Capacitor 1100V (1.1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can |
| χωρητικότητα: | 4.7µF |
| εφαρμογές: | Commutating; Damping |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B25834L7475K9
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B25834U7505K11 | EPCOS | CAP FILM 5UF 10% 1KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L5685K9 | EPCOS | CAP FILM 6.8UF 10% 750VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L4106K9 | EPCOS | CAP FILM 10UF 10% 600VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834U7605K11 | EPCOS | CAP FILM 6UF 10% 1KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834U7474K11 | EPCOS | CAP FILM 0.47UF 20% 1KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834U305K11 | EPCOS | CAP FILM 3UF 10% 1.4KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834U7305K11 | EPCOS | CAP FILM 3UF 10% 1KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L3336K9 | EPCOS | CAP FILM 33UF 10% 500VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L6475K9 | EPCOS | CAP FILM 4.7UF 10% 900VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L5156K9 | EPCOS | CAP FILM 15UF 10% 750VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834T4206K9 | EPCOS | CAP FILM 20UF 10% 450VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L4156K9 | EPCOS | CAP FILM 15UF 10% 600VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834K8474K9 | EPCOS | CAP FILM 0.47UF 1.2KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834U7684K11 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 20% 1KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834U7405K11 | EPCOS | CAP FILM 4UF 10% 1KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L5106K9 | EPCOS | CAP FILM 10UF 10% 750VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L6685K9 | EPCOS | CAP FILM 6.8UF 10% 900VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L6106K9 | EPCOS | CAP FILM 10UF 10% 900VAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834U684K11 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 1.4KVAC SCREW | Έρευνα |
|
B25834L7685K9 | EPCOS | CAP FILM 6.8UF 10% 1.1KVAC SCREW | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική