Το APTM120TDU57PG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTM120TDU57PG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTM120TDU57PG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTM120TDU57PG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTM120TDU57PG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTM120TDU57PG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34326 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.APTM120TDU57PG.pdf2.APTM120TDU57PG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP6-P |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 684 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 390W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 5155pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 187nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP6-P |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 17A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTM120TDU57PG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120SK68T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 | Έρευνα |
|
APTM120VDA57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | Έρευνα |
|
APTM120H57FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 | Έρευνα |
 |
APTM120U10SAG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120SK56T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | Έρευνα |
 |
APTM120H140FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | Έρευνα |
 |
APTM120TA57FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P | Έρευνα |
|
APTM120UM95FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 | Έρευνα |
 |
APTM20AM04FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120UM70DAG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 | Έρευνα |
 |
APTM120H29FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120SK29TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 | Έρευνα |
|
APTM20AM05FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120UM70FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 | Έρευνα |
|
APTM120H57FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 | Έρευνα |
|
APTM120SK15G | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | Έρευνα |
|
APTM20AM05FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | Έρευνα |
|
APTM120DU29TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Έρευνα |
|
APTM120U10DAG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | Έρευνα |
 |
APTM120U10SCAVG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο