Το APTGT400A120D3G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTGT400A120D3G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTGT400A120D3G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTGT400A120D3G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTGT400A120D3G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTGT400A120D3G
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 48949 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.APTGT400A120D3G.pdf2.APTGT400A120D3G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 400A |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D3 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 2100W |
| Συσκευασία / υπόθεση: | D-3 Module |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC θερμίστορ: | No |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce: | 29nF @ 25V |
| Εισαγωγή: | Standard |
| IGBT Τύπος: | Trench Field Stop |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3 |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 750µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 580A |
| Διαμόρφωση: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTGT400A120D3G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT35A120D1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | Έρευνα |
|
APTGT400A120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 | Έρευνα |
|
APTGT400DA120G | Microsemi | IGBT 1200V 560A 1785W SP6 | Έρευνα |
|
APTGT400TL65G | Microsemi | IGBT 650V SP6C | Έρευνα |
|
APTGT30X60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTGT30TL60T3G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP3 | Έρευνα |
|
APTGT400SK120G | Microsemi | IGBT 1200V 560A 1785W SP6 | Έρευνα |
|
APTGT35X120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | Έρευνα |
 |
APTGT400DA60D3G | Microsemi | IGBT 600V 500A 1250W D3 | Έρευνα |
|
APTGT35H120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Έρευνα |
 |
APTGT400DU120G | Microsemi | IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 | Έρευνα |
|
APTGT400SK60D3G | Microsemi | IGBT 600V 500A 1250W D3 | Έρευνα |
|
APTGT400SK120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 580A 2100W D3 | Έρευνα |
|
APTGT35DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 55A 205W D1 | Έρευνα |
|
APTGT400DA120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 580A 2100W D3 | Έρευνα |
|
APTGT35SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 55A 205W D1 | Έρευνα |
|
APTGT35A120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 | Έρευνα |
|
APTGT30TL601G | Microsemi | MOD IGBT 600V 50A SP1 | Έρευνα |
|
APTGT35H120T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
 |
APTGT400A60D3G | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο