Το APTC90H12SCTG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTC90H12SCTG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTC90H12SCTG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTC90H12SCTG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTC90H12SCTG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTC90H12SCTG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46690 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTC90H12SCTG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 3mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP4 |
| Σειρά: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 250W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP4 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 6800pF @ 100V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Super Junction |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 900V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP4 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 30A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTC90H12SCTG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC90HM60T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 | Έρευνα |
 |
APTCV60HM45BC20T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTC90TAM60TPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P | Έρευνα |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
|
APTC90H12T2G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | Έρευνα |
 |
APTC80TA15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P | Έρευνα |
|
APTC90SKM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
|
APTCV50H60T3G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | Έρευνα |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | Έρευνα |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Έρευνα |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80TDU15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P | Έρευνα |
|
APTCV40H60CT1G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Έρευνα |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | Έρευνα |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80SK15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | Έρευνα |
|
APTC90SKM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
 |
APTCV60HM45BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS