Το APTC80TDU15PG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTC80TDU15PG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTC80TDU15PG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTC80TDU15PG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTC80TDU15PG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTC80TDU15PG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42915 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTC80TDU15PG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 2mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP6-P |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 14A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 277W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP6 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 4507pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 800V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 28A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTC80TDU15PG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | Έρευνα |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Έρευνα |
|
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | Έρευνα |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | Έρευνα |
|
APTC90H12SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | Έρευνα |
|
APTC90H12T2G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | Έρευνα |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Έρευνα |
 |
APTC80TA15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P | Έρευνα |
|
APTC80SK15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | Έρευνα |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80H29T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80H15T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80H29T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 | Έρευνα |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | Έρευνα |
|
APTC80H15T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 | Έρευνα |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Έρευνα |
|
APTC80H29SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU