Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G
Αριθμός εξαρτήματος:
APT75GN60LDQ3G
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
IGBT 600V 155A 536W TO264
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
50509 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT75GN60LDQ3G.pdf2.APT75GN60LDQ3G.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT75GN60LDQ3G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT75GN60LDQ3G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT75GN60LDQ3G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT75GN60LDQ3G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 75A
Test Condition:400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:47ns/385ns
εναλλαγή Ενέργειας:2500µJ (on), 2140µJ (off)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-264 [L]
Σειρά:-
Ισχύς - Max:536W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-264-3, TO-264AA
Αλλα ονόματα:APT75GN60LDQ3GMI
APT75GN60LDQ3GMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:32 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:Trench Field Stop
πύλη Χρέωση:485nC
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):225A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):155A
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT75GN60LDQ3G

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT75GN120JDQ3 Image APT75GN120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Έρευνα
APT75M50B2 Image APT75M50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Έρευνα
APT75GN60BG Image APT75GN60BG Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO247 Έρευνα
APT75GT120JU3 Image APT75GT120JU3 Microsemi POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 Έρευνα
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Έρευνα
APT75GP120J Image APT75GP120J Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Έρευνα
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Έρευνα
APT75GN120JDQ3G Image APT75GN120JDQ3G Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Έρευνα
APT75GN120B2G Image APT75GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TMAX Έρευνα
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Έρευνα
APT75GP120JDQ3 Image APT75GP120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Έρευνα
APT75GN120J Image APT75GN120J Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Έρευνα
APT75GT120JU2 Image APT75GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 100A 416W SOT227 Έρευνα
APT77N60BC6 Image APT77N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 Έρευνα
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Έρευνα
APT77N60JC3 Image APT77N60JC3 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 Έρευνα
APT75GN120LG Image APT75GN120LG Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TO264 Έρευνα
APT75GP120B2G Image APT75GP120B2G Microsemi IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Έρευνα
APT75M50L Image APT75M50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Έρευνα
APT75GT120JRDQ3 Image APT75GT120JRDQ3 Microsemi IGBT 1200V 97A 480W SOT227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις