Το APT25GN120SG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT25GN120SG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT25GN120SG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT25GN120SG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT25GN120SG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT25GN120SG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 24823 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APT25GN120SG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 25A |
| Test Condition: | 800V, 25A, 1 Ohm, 15V |
| Td (on / off) στους 25 ° C: | 22ns/280ns |
| εναλλαγή Ενέργειας: | - |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D3Pak |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 272W |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 19 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Standard |
| IGBT Τύπος: | Trench Field Stop |
| πύλη Χρέωση: | 155nC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM): | 75A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 67A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT25GN120SG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT24M80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK | Έρευνα |
 |
APT25GLQ120JCU2 | Microsemi | PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 | Έρευνα |
 |
APT25GN120BG | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W TO247 | Έρευνα |
 |
APT25GR120SD15 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Έρευνα |
 |
APT24M120L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 | Έρευνα |
|
APT25GP120BDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | Έρευνα |
|
APT24F50S | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK | Έρευνα |
 |
APT24M120B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX | Έρευνα |
|
APT24M80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 | Έρευνα |
|
APT25GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | Έρευνα |
|
APT25GR120BSCD10 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | Έρευνα |
|
APT25GN120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | Έρευνα |
|
APT25GR120S | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Έρευνα |
|
APT25GR120SSCD10 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Έρευνα |
|
APT25GF120JCU2 | Microsemi | MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 | Έρευνα |
|
APT25GR120BD15 | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | Έρευνα |
|
APT25GR120B | Microsemi | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | Έρευνα |
|
APT25GP90BDQ1G | Microsemi | IGBT 900V 72A 417W TO247 | Έρευνα |
|
APT24F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 | Έρευνα |
|
APT25GP90BG | Microsemi | IGBT 900V 72A 417W TO247 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική