Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT22F80B
APT22F80B
APT22F80B
Αριθμός εξαρτήματος:
APT22F80B
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
46718 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT22F80B.pdf2.APT22F80B.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT22F80B είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT22F80B, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT22F80B μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT22F80B με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247 [B]
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):625W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Αλλα ονόματα:APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:21 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4595pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:150nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT22F80B

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT24M80S Image APT24M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK Έρευνα
APT24F50B Image APT24F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 Έρευνα
APT24F50S Image APT24F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK Έρευνα
APT20SCD120B Image APT20SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A Έρευνα
APT25GF120JCU2 Image APT25GF120JCU2 Microsemi MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 Έρευνα
APT22F100J Image APT22F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227 Έρευνα
APT22F80S Image APT22F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK Έρευνα
APT22F120L Image APT22F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 Έρευνα
APT23F60B Image APT23F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 Έρευνα
APT20N60BC3G Image APT20N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 Έρευνα
APT24M80B Image APT24M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 25A TO-247 Έρευνα
APT20N60SC3G Image APT20N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK Έρευνα
APT22F120B2 Image APT22F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX Έρευνα
APT20SCD65K Image APT20SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 32A TO220 Έρευνα
APT23F60S Image APT23F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK Έρευνα
APT21M100J Image APT21M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 Έρευνα
APT20M45BVRG Image APT20M45BVRG Microsemi MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 Έρευνα
APT24M120L Image APT24M120L Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 Έρευνα
APT24M120B2 Image APT24M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX Έρευνα
APT20SCD120S Image APT20SCD120S Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK Έρευνα

Latest Ειδήσεις