Το 74LX1G08STR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74LX1G08STR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74LX1G08STR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74LX1G08STR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74LX1G08STR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74LX1G08STR
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58770 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74LX1G08STR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-23-5 |
| Σειρά: | 74LX |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-74A, SOT-753 |
| Αλλα ονόματα: | 497-1252-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 3.7ns @ 5V, 50pF |
| λογική Τύπος: | AND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | - |
| Logic Level - Υψηλή: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | AND Gate IC 1 Channel SOT-23-5 |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 10µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 32mA, 32mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74LX1G08 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74LX1G08STR
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74LX1G08CTR | STMicroelectronics | IC GATE AND 1CH 2-INP SOT323-5 | Έρευνα |
 |
74LX1G03STR | STMicroelectronics | IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G07CTR | STMicroelectronics | IC BUFF NON-INVERT 5.5V SOT323-5 | Έρευνα |
|
74LX1G126STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G14CTR | STMicroelectronics | IC INVERTER SCHMITT 1CH SOT323-5 | Έρευνα |
|
74LX1G14STR | STMicroelectronics | IC INVERTER SCHMITT 1CH SOT23-5 | Έρευνα |
 |
74LX1G04BJR | STMicroelectronics | IC INVERTER 1CH 1-INP 4FLIPCHIP | Έρευνα |
|
74LX1G02CTR | STMicroelectronics | IC GATE NOR 1CH 2-INP SOT323-5 | Έρευνα |
|
74LX1G125CTR | STMicroelectronics | IC BUFF NON-INVERT 5.5V SOT323-5 | Έρευνα |
|
74LX1G04CTR | STMicroelectronics | IC INVERTER 1CH 1-INP SOT323-5 | Έρευνα |
|
74LX1G132CTR | STMicroelectronics | IC GATE NAND SCHMITT 1CH SOT323 | Έρευνα |
|
74LX1G32STR | STMicroelectronics | IC GATE OR 1CH 2-INP SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G32CTR | STMicroelectronics | IC GATE OR 1CH 2-INP SOT323-5 | Έρευνα |
|
74LX1G04STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 1CH 1-INP SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G132STR | STMicroelectronics | IC GATE NAND SCHMITT 1CH SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G07STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G02STR | STMicroelectronics | IC GATE NOR 1CH 2-INP SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G126CTR | STMicroelectronics | IC BUFF NON-INVERT 5.5V SOT323-5 | Έρευνα |
|
74LX1G05STR | STMicroelectronics | IC INVERTER 1CH 1-INP SOT23-5 | Έρευνα |
|
74LX1G125STR | STMicroelectronics | IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash