Το 74LVCE1G08FZ4-7 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74LVCE1G08FZ4-7, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74LVCE1G08FZ4-7 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74LVCE1G08FZ4-7 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74LVCE1G08FZ4-7
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74LVCE1G08FZ4-7
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Περιγραφή:
- IC GATE AND 1CH 2-INP DFN1410-6
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55449 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74LVCE1G08FZ4-7.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.4 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | X2-DFN1410-6 |
| Σειρά: | 74LVCE |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-XFDFN |
| Αλλα ονόματα: | 74LVCE1G08FZ4-7DITR 74LVCE1G08FZ47 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 3.6ns @ 5V, 50pF |
| λογική Τύπος: | AND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| Logic Level - Υψηλή: | 1.7 V ~ 2 V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | AND Gate IC 1 Channel X2-DFN1410-6 |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 10µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 32mA, 32mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74LVCE1G08 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74LVCE1G08FZ4-7
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας