Το 74HCT2G08DC,125 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74HCT2G08DC,125, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74HCT2G08DC,125 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74HCT2G08DC,125 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74HCT2G08DC,125
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74HCT2G08DC,125
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- IC GATE AND 2CH 2-INP 8VSSOP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 58979 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74HCT2G08DC,125.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-VSSOP |
| Σειρά: | 74HCT |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 1727-6929-2 568-9250-2 568-9250-2-ND 74HCT2G08DC,125-ND 74HCT2G08DC-G 74HCT2G08DC-G-ND 74HCT2G08DC125 935274804125 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 14ns @ 4.5V, 50pF |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| λογική Τύπος: | AND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.8V |
| Logic Level - Υψηλή: | 2V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | AND Gate IC 2 Channel 8-VSSOP |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 20µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 4mA, 4mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74HCT2G08 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74HCT2G08DC,125
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74HCT2G04GW,125 | Nexperia | IC INVERTER 2CH 2-INP 6TSSOP | Έρευνα |
 |
74HCT2G02DC,125 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G125DC-Q100H | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G126DC,125 | NXP Semiconductors / Freescale | IC BUF NON-INVERT 5.5V 8VSSOP | Έρευνα |
 |
74HCT2G02DP,125 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G02DP-Q100H | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G125DP-Q100H | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 8TSSOP | Έρευνα |
 |
74HCT2G02GD,125 | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8XSON | Έρευνα |
|
74HCT2G08DP,125 | Nexperia | IC GATE AND 2CH 2-INP 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G00GD,125 | Nexperia | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON | Έρευνα |
 |
74HCT2G04GV,125 | Nexperia | IC INVERTER 2CH 2-INP 6TSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G125DP,125 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G02DC-Q100H | Nexperia | IC GATE NOR 2CH 2-INP 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G08GD,125 | Nexperia | IC GATE AND 2CH 2-INP 8XSON | Έρευνα |
|
74HCT2G04GW-Q100H | Nexperia | IC INVERTER SCHMITT 2CH 6TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G08DC-Q100H | Nexperia | IC GATE AND 2CH 2-INP 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G125GD,125 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8XSON | Έρευνα |
|
74HCT2G08DP-Q100H | Nexperia | IC GATE AND 2CH 2-INP 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G04GV-Q100H | Nexperia | IC INVERTER SCHMITT 2CH 6TSOP | Έρευνα |
|
74HCT2G125DC,125 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 8VSSOP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική