Το 74HCT1G08GW,125 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74HCT1G08GW,125, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74HCT1G08GW,125 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74HCT1G08GW,125 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74HCT1G08GW,125
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74HCT1G08GW,125
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41911 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74HCT1G08GW,125.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 5-TSSOP |
| Σειρά: | 74HCT |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-6053-2 568-7745-2 568-7745-2-ND 74HCT1G08GW,125-ND 74HCT1G08GW-G 74HCT1G08GW-G-ND 74HCT1G08GW125 935245660125 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 27ns @ 4.5V, 50pF |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| λογική Τύπος: | AND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.8V |
| Logic Level - Υψηλή: | 2V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | AND Gate IC 1 Channel 5-TSSOP |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 20µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | 2mA, 2mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74HCT1G08 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74HCT1G08GW,125
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74HCT1G04GW-Q100H | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 5TSSOP | Έρευνα |
 |
74HCT1G04GV,125 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 5TSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G125GW,165 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G04GW,165 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G125GV,125 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 5TSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G04GW,125 | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G126GW,165 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G02GW,165 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G04GV-Q100H | Nexperia | IC INVERTER 1CH 1-INP 5TSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G126GV,125 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 5TSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G125GW-Q100H | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G02GW,125 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G08GV,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G02GW-Q100,1 | Nexperia | IC GATE NOR 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G08GW,165 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G08GW-Q100,1 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G125GV-Q100H | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 5TSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G125GW,125 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 5TSSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G08GV-Q100,1 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSOP | Έρευνα |
|
74HCT1G126GW,125 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 5.5V 5TSSOP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash