Το 74HC3G06DP,125 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74HC3G06DP,125, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74HC3G06DP,125 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74HC3G06DP,125 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74HC3G06DP,125
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74HC3G06DP,125
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- IC INVERTER 3CH 3-INP 8TSSOP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27250 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74HC3G06DP,125.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2 V ~ 6 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-TSSOP |
| Σειρά: | 74HC |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | 74HC3G06DP-G 74HC3G06DP-G-ND 935272994125 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 3 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 3 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 5ns @ 6V, 50pF |
| λογική Τύπος: | Inverter |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.5 V ~ 1.8 V |
| Logic Level - Υψηλή: | 1.5 V ~ 4.2 V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | Open Drain |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Inverter IC 3 Channel Open Drain 8-TSSOP |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 20µA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | -, 5.2mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74HC3G06 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74HC3G06DP,125
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74HC3G07DP,125 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 6V 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G14DP,125 | Nexperia | IC INVERTER SCHMITT 3CH 8TSSOP | Έρευνα |
 |
74HC3G14DC,125 | Nexperia | IC INVERTER SCHMITT 3CH 8VSSOP | Έρευνα |
 |
74HC3G04GD,125 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XSON | Έρευνα |
|
74HC3G04DP-Q100H | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G07GD,125 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 6V 8XSON | Έρευνα |
|
74HC3G14DP-Q100H | Nexperia | IC INVERTER SCHMITT 3CH 8TSSOP | Έρευνα |
 |
74HC393PW,112 | Nexperia | IC DUAL 4BIT BINRY COUNT 14TSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G06GD,125 | Nexperia | IC INVERTER OD 3CH 3-INP 8XSON | Έρευνα |
|
74HC3G06DC,125 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HC393PW-Q100J | Nexperia | IC DUAL 4BIT BINRY COUNT 14TSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G04DP,125 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G04DC-Q100H | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HC393PW,118 | Nexperia | IC DUAL 4BIT BINRY COUNT 14TSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G04DC,125 | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8VSSOP | Έρευνα |
 |
74HC3G07DP-Q100H | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 6V 8TSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G04GD-Q100H | Nexperia | IC INVERTER 3CH 3-INP 8XSON | Έρευνα |
|
74HC3G07DC,125 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 6V 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G14DC-Q100H | Nexperia | IC INVERTER SCHMITT 3CH 8VSSOP | Έρευνα |
|
74HC3G07DC-Q100H | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 6V 8VSSOP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC