Το 74AUP2G3407GWH είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74AUP2G3407GWH, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74AUP2G3407GWH μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74AUP2G3407GWH με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74AUP2G3407GWH
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74AUP2G3407GWH
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- IC BUF NON-INVERT 3.6V 6TSSOP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35838 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.74AUP2G3407GWH.pdf2.74AUP2G3407GWH.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-TSSOP |
| Σειρά: | 74AUP |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Τύπος εξόδου: | Open Drain, Push-Pull |
| Αλλα ονόματα: | 1727-1789-2 568-11371-2 568-11371-2-ND 935302419125 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Αριθμός Στοιχείων: | 2 |
| Αριθμός Bits ανά στοιχείο: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| λογική Τύπος: | Buffer, Non-Inverting |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Buffer, Non-Inverting 2 Element 1 Bit per Element Open Drain, Push-Pull Output 6-TSSOP |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | -, 4mA; 4mA, 4mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 74AUP2G3407 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74AUP2G3407GWH
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74AUP2G34FW4-7 | Diodes Incorporated | IC BUFF NON-INVERT 3.6V 6DFN | Έρευνα |
 |
74AUP2G3407GSH | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
 |
74AUP2G34GW,125 | Nexperia | IC BUF NON-INVERT 3.6V 6TSSOP | Έρευνα |
|
74AUP2G3407GNH | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP2G34GF,132 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP2G3404GN,125 | Nexperia | IC BUFFER/INVERTER SGL X2SON6 | Έρευνα |
|
74AUP2G3407GFH | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
 |
74AUP2G3404GM,125 | Nexperia | IC BUFFER/INVERTER SGL 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP2G3407GMH | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP2G3404FW4-7 | Diodes Incorporated | IC BUFFER/INVERTER SGL 6DFN | Έρευνα |
|
74AUP2G34GM,115 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP2G3404GS,125 | Nexperia | IC BUFFER/INVERTER SGL X2SON6 | Έρευνα |
|
74AUP2G34GM,132 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
 |
74AUP2G34FW3-7 | Diodes Incorporated | IC BUFF NON-INVERT 3.6V 6DFN | Έρευνα |
 |
74AUP2G34DW-7 | Diodes Incorporated | IC BUF NON-INVERT 3.6V SOT363 | Έρευνα |
|
74AUP2G34GN,132 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP2G3404GF,125 | Nexperia | IC BUFFER/INVERTER SGL 6-XSON | Έρευνα |
 |
74AUP2G34FZ4-7 | Diodes Incorporated | IC BUFF NON-INVERT 3.6V 6DFN | Έρευνα |
|
74AUP2G34GS,132 | Nexperia | IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP2G3404GW,125 | Nexperia | IC BUFFER/INVERTER SGL SOT363 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας