Το 74AUP1G09FS3-7 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 74AUP1G09FS3-7, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 74AUP1G09FS3-7 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 74AUP1G09FS3-7 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
74AUP1G09FS3-7
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 74AUP1G09FS3-7
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Περιγραφή:
- IC GATE AND 1CH 2-INP 4-X2DFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45585 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 74AUP1G09FS3-7.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 4-X2DFN (0.8x0.8) |
| Σειρά: | 74AUP |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-XFDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 74AUP1G09FS3-7DICT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός εισόδων: | 2 |
| Αριθμός Κυκλωμάτων: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max καθυστέρηση διάδοσης @ V, Max CL: | 12.7ns @ 3.3V, 30pF |
| λογική Τύπος: | AND Gate |
| Logic Level - Χαμηλή: | 0.7 V ~ 0.9 V |
| Logic Level - Υψηλή: | 1.6 V ~ 2 V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | Open Drain |
| Λεπτομερής περιγραφή: | AND Gate IC 1 Channel Open Drain 4-X2DFN (0.8x0.8) |
| Τρέχουσες - ηρεμίας (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Έξοδος High, Low: | -, 4mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 74AUP1G09FS3-7
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
74AUP1G08GS,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74AUP1G09FZ4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP DFN1410-6 | Έρευνα |
 |
74AUP1G09FX4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP DFN1409-6 | Έρευνα |
 |
74AUP1G09GW,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74AUP1G08GN,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74AUP1G08GM,115 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP1G09GM,115 | Nexperia | IC GATE AND OD 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP1G09GF,132 | Nexperia | IC GATE AND OD 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP1G08GW-Q100H | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74AUP1G08GM,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74AUP1G08SE-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP SOT-353 | Έρευνα |
|
74AUP1G08GX,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 4SON | Έρευνα |
 |
74AUP1G09FW4-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP DFN1010-6 | Έρευνα |
|
74AUP1G09GM,132 | Nexperia | IC GATE AND OD 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP1G08SE-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP SOT353 | Έρευνα |
|
74AUP1G09GN,132 | Nexperia | IC GATE AND OD 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
|
74AUP1G08GW,125 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 5TSSOP | Έρευνα |
|
74AUP1G08GF,132 | Nexperia | IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
 |
74AUP1G09FW5-7 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 1CH 2-INP DFN1010-6 | Έρευνα |
|
74AUP1G09GS,132 | Nexperia | IC GATE AND OD 1CH 2-INP 6XSON | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash