Το 744C083103JTR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 744C083103JTR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 744C083103JTR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 744C083103JTR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
744C083103JTR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 744C083103JTR
- Κατασκευαστής:
- CTS Electronic Components
- Περιγραφή:
- RES ARRAY 4 RES 10K OHM 2012
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45816 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 744C083103JTR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±5% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±200ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.200" L x 0.126" W (5.08mm x 3.20mm) |
| Σειρά: | 744 |
| Αντιστοίχηση-Αντιστοίχιση-Αντίσταση: | - |
| Συντελεστής αντιστοίχισης αντιστάσεων: | - |
| Αντίσταση (Ohms): | 10k |
| Ισχύς ανά στοιχείο: | 125mW |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2012, Concave, Long Side Terminals |
| Αλλα ονόματα: | 744-083-103J 744-083-R103CT 744-083-R103CT-ND 744083103J 744C083103J 744C083103JCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός αντιστάσεις: | 4 |
| Αριθμός Pins: | 8 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.028" (0.70mm) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 10k Ohm ±5% 125mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 2012, Concave, Long Side Terminals |
| κύκλωμα Τύπος: | Isolated |
| εφαρμογές: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 744C083103JTR
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο