Το 71V016SA10YG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 71V016SA10YG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 71V016SA10YG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 71V016SA10YG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
71V016SA10YG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 71V016SA10YG
- Κατασκευαστής:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Περιγραφή:
- IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 31832 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 71V016SA10YG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 10ns |
| Τάσης - Προμήθεια: | 3.15 V ~ 3.6 V |
| Τεχνολογία: | SRAM - Asynchronous |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 44-SOJ |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | IDT71V016SA10YG IDT71V016SA10YG-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Τύπος μνήμης: | Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 1Mb (64K x 16) |
| Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
| Μορφή μνήμης: | SRAM |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ |
| Αριθμός μέρους βάσης: | IDT71V016 |
| Χρόνος πρόσβασης: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 71V016SA10YG
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί