Το 4SXE82M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 4SXE82M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 4SXE82M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 4SXE82M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
4SXE82M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 4SXE82M
- Κατασκευαστής:
- Rubycon
- Περιγραφή:
- CAP ALUM POLY 82UF 20% 4V SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 29227 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 4SXE82M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 4V |
| Τύπος: | Polymer |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) |
| Σειρά: | PC-CON, SXE |
| Έλξη ρεύματος @ Υψηλή συχνότητα: | 3A @ 100kHz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2917 (7343 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 1189-1648-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.075" (1.90mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 9 mOhm |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 82µF 4V Aluminum Polymer Capacitor 2917 (7343 Metric) 9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| χωρητικότητα: | 82µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 4SXE82M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
4SXE100M | Rubycon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
 |
APXA100ARA121MH70G | Nippon Chemi-Con | CAP ALUM POLY 120UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
 |
4SXE120M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 120UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXB68M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXE100M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
 |
4SXB68M | Rubycon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
 |
RHS1A151MCN1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 10V SMD | Έρευνα |
 |
4SXB150M | Rubycon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXE68M | Rubycon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXB100M | Rubycon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXB100M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 100UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
 |
PCG0J331MCL1GS | Nichicon | CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V SMD | Έρευνα |
|
4SXE150M | Rubycon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXE150M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXB150M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 150UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
 |
EEF-UD0D271CR | Panasonic | CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD | Έρευνα |
 |
6SEP150M | Panasonic | CAP ALUM POLY 150UF 20% 6.3V T/H | Έρευνα |
|
4SXE68M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 68UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXE120M | Rubycon | CAP ALUM POLY 120UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
|
4SXE82M1.9X7.3 | Rubycon | CAP ALUM POLY 82UF 20% 4V SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική