Το 336CKS450M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 336CKS450M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 336CKS450M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 336CKS450M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
336CKS450M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 336CKS450M
- Κατασκευαστής:
- Illinois Capacitor
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 33UF 20% 450V THRU HOLE
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55416 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 336CKS450M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 450V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.630" Dia (16.00mm) |
| Σειρά: | CKS |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 280mA @ 120Hz |
| Έλξη ρεύματος @ Υψηλή συχνότητα: | 504mA @ 100kHz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 22 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.295" (7.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.240" (31.50mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 10.048 Ohm @ 120Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 33µF 450V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 10.048 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| χωρητικότητα: | 33µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 336CKS450M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
336CKS160M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 160V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
336MABA04KJS | Illinois Capacitor | CAP FILM 33UF 10% 370VDC RADIAL | Έρευνα |
 |
336CKS400M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 400V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
336HC5500KR | Illinois Capacitor | CAP FILM 33UF 10% 500VAC AXIAL | Έρευνα |
 |
336MHBS55K2R | Illinois Capacitor | CAP FILM 33UF 10% 1KVDC RADIAL | Έρευνα |
 |
336KBM100M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 100V THRU HOLE | Έρευνα |
|
336CKS200MLU | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 200V THRU HOLE | Έρευνα |
|
336CKS450MQV | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 450V THRU HOLE | Έρευνα |
|
336KXM035M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 35V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
336LC5500K5PM8 | Illinois Capacitor | CAP FILM 33UF 10% 500VAC CHAS MT | Έρευνα |
|
336KXM100MJP | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 100V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
336CKE450MQV | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 450V RADIAL | Έρευνα |
|
336HSM050M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 50V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
336CKS250M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 250V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
336CKS350M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 350V THRU HOLE | Έρευνα |
|
336CKS050M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 50V THRU HOLE | Έρευνα |
|
336CKE400M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 400V RADIAL | Έρευνα |
|
336KXM050M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 50V THRU HOLE | Έρευνα |
|
336CKS400MTJD | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 400V THRU HOLE | Έρευνα |
 |
336CKH100M | Illinois Capacitor | CAP ALUM 33UF 20% 100V THRU HOLE | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας