Το 2SD18200RL είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 2SD18200RL, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 2SD18200RL μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 2SD18200RL με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
2SD18200RL
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 2SD18200RL
- Κατασκευαστής:
- Panasonic
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 25V 0.5A SMINI 3P
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 28789 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 2SD18200RL.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 25V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 30mA, 300mA |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SMini3-G1 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 150mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-70, SOT-323 |
| Αλλα ονόματα: | 2SD1820-(TX) 2SD1820-TX 2SD1820TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 200MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 500mA 200MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 150mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 100nA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 500mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 2SD1820 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 2SD18200RL
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
2SD1819A0L | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P | Έρευνα |
|
2SD1819AQL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P | Έρευνα |
|
2SD1820GRL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.5A SMINI-3 | Έρευνα |
|
2SD1819G0L | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI-3 | Έρευνα |
|
2SD1820A0L | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.5A SMINI 3P | Έρευνα |
|
2SD1824GRL | Panasonic | TRANS NPN 100V 0.02A SMINI-3 | Έρευνα |
|
2SD18230RL | Panasonic | TRANS NPN 40V 0.05A SMINI-3 | Έρευνα |
|
2SD1819ARL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P | Έρευνα |
|
2SD1819GRL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P | Έρευνα |
|
2SD1820ARL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.5A SMINI 3P | Έρευνα |
|
2SD18240RL | Panasonic | TRANS NPN 100V 0.02A SMINI3P | Έρευνα |
 |
2SD1816T-TL-H | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 100V 4A TP-FA | Έρευνα |
|
2SD1819ASL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P | Έρευνα |
 |
2SD1823GRL | Panasonic | TRANS NPN 40V 0.05A SMINI-3 | Έρευνα |
|
2SD1819GSL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P | Έρευνα |
|
2SD18240SL | Panasonic | TRANS NPN 100V 0.02A SMINI3P | Έρευνα |
|
2SD1816T-TL-E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 100V 4A TP-FA | Έρευνα |
|
2SD1819GQL | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.1A SMINI-3 | Έρευνα |
|
2SD1820G0L | Panasonic | TRANS NPN 50V 0.5A SMINI-3 | Έρευνα |
|
2SD18210RL | Panasonic | TRANS NPN 150V 0.05A SMINI-3 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική