Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > 1N5553
1N5553
1N5553
Αριθμός εξαρτήματος:
1N5553
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα αποθέματος:
35573 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1N5553.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το 1N5553 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N5553, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N5553 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N5553 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.2V @ 9A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):800V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:-
Ταχύτητα:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):2µs
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:B, Axial
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-65°C ~ 175°C
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:7 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 800V 3A Through Hole
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:1µA @ 800V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):3A
Χωρητικότητα @ VR, F:-
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για 1N5553

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
1N5553C.TR Semtech DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL Έρευνα
1N5614 Image 1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Έρευνα
1N5552 Semtech DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL Έρευνα
1N5550US Image 1N5550US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A D5B Έρευνα
1N5553 Semtech DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL Έρευνα
1N5551US Image 1N5551US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A D5B Έρευνα
1N5552US Image 1N5552US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A D5B Έρευνα
1N5551C.TR Semtech DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL Έρευνα
1N5554C.TR Image 1N5554C.TR Semtech DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL Έρευνα
1N5554US Semtech DIODE GEN PURP 1KV 5A Έρευνα
1N5551 Image 1N5551 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL Έρευνα
1N5554 Semtech DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL Έρευνα
1N5553US Semtech DIODE GEN PURP 800V 5A Έρευνα
1N5551 Semtech DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL Έρευνα
1N5554 Image 1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Έρευνα
1N5551US Semtech DIODE GEN PURP 400V 5A Έρευνα
1N5552 Image 1N5552 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Έρευνα
1N5553US Image 1N5553US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF Έρευνα
1N5554US Image 1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF Έρευνα
1N5552C.TR Image 1N5552C.TR Semtech DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL Έρευνα

Latest Ειδήσεις