Το 1N3890 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N3890, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N3890 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N3890 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1N3890
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1N3890
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38551 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.1N3890.pdf2.1N3890.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 12A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-4 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Άλλα ονόματα: | 1N3890GN |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 200ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | 1N3890 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 25µA @ 50V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.4V @ 12A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 100V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1N3890
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
1N3891R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N3889R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 | Έρευνα |
|
1N3883R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3883 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3892 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N3883 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 | Έρευνα |
|
1N3883R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 | Έρευνα |
 |
1N3891R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 | Έρευνα |
|
1N3890AR | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3891AR | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N3891 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 | Έρευνα |
|
1N3890R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 | Έρευνα |
|
1N3889 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3890A | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3882R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3891A | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3882R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4 | Έρευνα |
|
1N3890 | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3889R | Microsemi | FAST RECOVERY RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N3889 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash