Το 1N2135A είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N2135A, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N2135A μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N2135A με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1N2135A
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1N2135A
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 400V 60A DO5
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27933 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.1N2135A.pdf2.1N2135A.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 60A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-5 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Άλλα ονόματα: | 1N2135AGN |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | 1N2135A |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 400V 60A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 10µA @ 50V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 400V 60A DO5 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.1V @ 60A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 400V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 200°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1N2135A
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
1N2129A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2130AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2138AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2131A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N276 BK | Central Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 40MA DO7 | Έρευνα |
 |
1N2804B | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | Έρευνα |
|
1N2128AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2135AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2137AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2130A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2129AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2138A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2133AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2128A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2804A | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | Έρευνα |
|
1N2137A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2804RB | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | Έρευνα |
|
1N2133A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2131AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2805A | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V 50W TO204AD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο