Το 1N2131A είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N2131A, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N2131A μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N2131A με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1N2131A
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1N2131A
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 200V 60A DO5
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43598 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.1N2131A.pdf2.1N2131A.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.1V @ 60A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-5 |
| Ταχύτητα: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Αλλα ονόματα: | 1242-1105 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 200°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 200V 60A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 10µA @ 50V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 60A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Αριθμός μέρους βάσης: | 1N2131 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1N2131A
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
1N2130AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2137AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N276 BK | Central Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 40MA DO7 | Έρευνα |
|
1N2128A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2128AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2129AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2804A | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | Έρευνα |
|
1N2804B | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | Έρευνα |
 |
1N2138A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2137A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2133A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2804RB | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | Έρευνα |
|
1N2133AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2131AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2130A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2135AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 | Έρευνα |
|
1N2129A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2138AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5 | Έρευνα |
 |
1N2059 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB | Έρευνα |
|
1N2135A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 60A DO5 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική