Το 1N1187R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1N1187R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1N1187R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1N1187R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1N1187R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1N1187R
- Κατασκευαστής:
- GeneSiC Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 24771 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.1N1187R.pdf2.1N1187R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard, Reverse Polarity |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 35A |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-5 |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Άλλα ονόματα: | 1N1187RGN |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis, Stud Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | 1N1187R |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard, Reverse Polarity 300V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 10µA @ 50V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.2V @ 35A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 300V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 190°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1N1187R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
1N1188A | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N1188AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 | Έρευνα |
|
1N1187 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 35A DO5 | Έρευνα |
|
1N1187R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N1188 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N1189 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N1187 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N1186AR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N1188R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N1187AR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N1186AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 | Έρευνα |
|
1N1189 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Έρευνα |
|
1N1188AR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N1186R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5 | Έρευνα |
|
1N1187A | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
 |
1N1188R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5 | Έρευνα |
|
1N1188A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 40A DO5 | Έρευνα |
 |
1N1188 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | Έρευνα |
|
1N1186A | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
|
1N1186R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο