Το 1276AS-H-R68M=P2 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1276AS-H-R68M=P2, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1276AS-H-R68M=P2 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1276AS-H-R68M=P2 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1276AS-H-R68M=P2
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1276AS-H-R68M=P2
- Κατασκευαστής:
- Murata Electronics
- Περιγραφή:
- FIXED IND 680NH 2.9A 45 MOHM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 41166 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1276AS-H-R68M=P2.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Ανάλυση: | - |
| Χρήση: | Shielded |
| Τύπος: | Wirewound |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Σειρά: | DFE322510C |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | 1210 (3225 Metric) |
| Άλλα ονόματα: | 490-10588-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | 1276AS-H-R68M=P2 |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Τύπος υλικού: | 680nH |
| Συχνότητα - Test: | - |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 45 mOhm Max |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 680nH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 45 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±20% |
| Διάμετρος - Ώμος: | - |
| Περιγραφή: | FIXED IND 680NH 2.9A 45 MOHM SMD |
| Χρόνος καθυστέρησης: | 1MHz |
| Αντίσταση DC (DCR): | 3.5A |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 2.9A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | Powdered Iron |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1276AS-H-R68M=P2
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο