Το 1206J1K26P80DCT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 1206J1K26P80DCT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 1206J1K26P80DCT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 1206J1K26P80DCT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
1206J1K26P80DCT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1206J1K26P80DCT
- Κατασκευαστής:
- Knowles Syfer
- Περιγραφή:
- CAP CER 6.8PF 1.2KV C0G/NP0 1206
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47058 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.1206J1K26P80DCT.pdf2.1206J1K26P80DCT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 1200V (1.2kV) |
| Ανοχή: | ±0.5pF |
| Πάχος (Max): | 0.063" (1.60mm) |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | C0G, NP0 (1B) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | - |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1206 (3216 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount, MLCC |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| μόλυβδος Style: | - |
| μόλυβδος Απόσταση: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | - |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 6.8pF ±0.5pF 1200V (1.2kV) Ceramic Capacitor C0G, NP0 (1B) 1206 (3216 Metric) |
| χωρητικότητα: | 6.8pF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 1206J1K26P80DCT
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
1206J1K25P60DCT | Knowles Syfer | CAP CER 5.6PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K28P20DCR | Knowles Syfer | CAP CER 8.2PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K28P20BCR | Knowles Syfer | CAP CER 8.2PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K26P80CCR | Knowles Syfer | CAP CER 6.8PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K25P60CCR | Knowles Syfer | CAP CER 5.6PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K26P80CCT | Knowles Syfer | CAP CER 6.8PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K25P60DCR | Knowles Syfer | CAP CER 5.6PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K25P60CCT | Knowles Syfer | CAP CER 5.6PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K26P80BCT | Knowles Syfer | CAP CER 6.8PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K50100FCR | Knowles Syfer | CAP CER 10PF 1.5KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K50100GCT | Knowles Syfer | CAP CER 10PF 1.5KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K25P60BCT | Knowles Syfer | CAP CER 5.6PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K26P80DCR | Knowles Syfer | CAP CER 6.8PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K28P20CCR | Knowles Syfer | CAP CER 8.2PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K50100FCT | Knowles Syfer | CAP CER 10PF 1.5KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K50100GCR | Knowles Syfer | CAP CER 10PF 1.5KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K28P20CCT | Knowles Syfer | CAP CER 8.2PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K28P20DCT | Knowles Syfer | CAP CER 8.2PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K26P80BCR | Knowles Syfer | CAP CER 6.8PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
|
1206J1K28P20BCT | Knowles Syfer | CAP CER 8.2PF 1.2KV C0G/NP0 1206 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο