ZXMN3A06DN8TC
ZXMN3A06DN8TC
Modèle de produit:
ZXMN3A06DN8TC
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52146 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
ZXMN3A06DN8TC.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur:8-SOP
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 9A, 10V
Puissance - Max:1.8W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:796pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.9A
Email:[email protected]

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