W968D6DAGX7I TR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour W968D6DAGX7I TR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour W968D6DAGX7I TR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez W968D6DAGX7I TR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
W968D6DAGX7I TR
- Modèle de produit:
- W968D6DAGX7I TR
- Fabricant:
- Winbond Electronics Corporation
- La description:
- IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 51773 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- W968D6DAGX7I TR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Package composant fournisseur: | 54-VFBGA (6x8) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 54-VFBGA |
| Autres noms: | W968D6DAGX7I TR-ND W968D6DAGX7ITR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 256Mb (16M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | PSRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 133MHz 70ns 54-VFBGA (6x8) |
| Fréquence d'horloge: | 133MHz |
| Temps d'accès: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes W968D6DAGX7I TR
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement