W94AD6KBHX5I TR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour W94AD6KBHX5I TR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour W94AD6KBHX5I TR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez W94AD6KBHX5I TR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
W94AD6KBHX5I TR
- Modèle de produit:
- W94AD6KBHX5I TR
- Fabricant:
- Winbond Electronics Corporation
- La description:
- IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 28490 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- W94AD6KBHX5I TR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 15ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Package composant fournisseur: | 60-VFBGA (8x9) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 60-TFBGA |
| Autres noms: | W94AD6KBHX5I TR-ND W94AD6KBHX5ITR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 1Gb (64M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9) |
| Fréquence d'horloge: | 200MHz |
| Temps d'accès: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes W94AD6KBHX5I TR
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash