VS-SD600R28PC est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour VS-SD600R28PC, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour VS-SD600R28PC par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez VS-SD600R28PC avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
VS-SD600R28PC
- Modèle de produit:
- VS-SD600R28PC
- Fabricant:
- La description:
- DIODE GEN PURP 2.8KV 600A B8
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 42447 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- VS-SD600R28PC.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 600A |
| Tension - Ventilation: | B-8 |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | B-8 |
| Autres noms: | *SD600R28PC SD600R28PC SD600R28PC-ND |
| Type de montage: | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 14 Weeks |
| Référence fabricant: | VS-SD600R28PC |
| Description élargie: | Diode Standard 2800V (2.8kV) 600A Chassis, Stud Mount B-8 |
| Configuration diode: | 35mA @ 2800V |
| La description: | DIODE GEN PURP 2.8KV 600A B8 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.44V @ 1500A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 2800V (2.8kV) |
| Capacité à Vr, F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes VS-SD600R28PC
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash