VS-RA220FA120 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour VS-RA220FA120, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour VS-RA220FA120 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez VS-RA220FA120 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
VS-RA220FA120
- Modèle de produit:
- VS-RA220FA120
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 FR
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41032 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- VS-RA220FA120.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.31V @ 110A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1200V |
| Package composant fournisseur: | SOT-227 |
| La vitesse: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Package / Boîte: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 23 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Configuration diode: | 2 Independent |
| Description détaillée: | Diode Array 2 Independent Standard 1200V 108A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 150µA @ 1200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 108A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes VS-RA220FA120
Latest Nouvelles
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash