VS-10ETF06FPPBF est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour VS-10ETF06FPPBF, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour VS-10ETF06FPPBF par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez VS-10ETF06FPPBF avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
VS-10ETF06FPPBF
- Modèle de produit:
- VS-10ETF06FPPBF
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41931 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- VS-10ETF06FPPBF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.2V @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | TO-220AC Full Pack |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 200ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-2 Full Pack |
| Autres noms: | 10ETF06FPPBF 10ETF06FPPBF-ND |
| Température d'utilisation - Jonction: | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220AC Full Pack |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 10A |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Numéro de pièce de base: | 10ETF06 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes VS-10ETF06FPPBF
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement