VLF252015MT-100M est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour VLF252015MT-100M, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour VLF252015MT-100M par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez VLF252015MT-100M avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
VLF252015MT-100M
- Modèle de produit:
- VLF252015MT-100M
- Fabricant:
- TDK Corporation
- La description:
- FIXED IND 10UH 940MA 280 MOHM
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 32730 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- VLF252015MT-100M.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Type: | Wirewound |
| Tolérance: | ±20% |
| Package composant fournisseur: | - |
| Taille / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Blindage: | Shielded |
| Séries: | VLF-M |
| évaluations: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 1008 (2520 Metric) |
| Autres noms: | 445-15809-2 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 105°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Matériau - Noyau: | Ferrite |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence d'inductance - Test: | 1MHz |
| Inductance: | 10µH |
| Hauteur - Installé (max): | 0.059" (1.50mm) |
| Fréquence - Auto résonance: | - |
| Description détaillée: | 10µH Shielded Wirewound Inductor 940mA 280 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Résistance cc (DCR): | 280 mOhm Max |
| Note actuelle: | 940mA |
| Courant - Saturation: | 420mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes VLF252015MT-100M
Latest Nouvelles
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires