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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNRF2A100A
UNRF2A100A
UNRF2A100A
Modèle de produit:
UNRF2A100A
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
54407 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
UNRF2A100A.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:ML3-N2
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:100mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-101, SOT-883
Autres noms:UNRF2A100ATR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:3 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:150MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount ML3-N2
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):80mA
Email:[email protected]

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