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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > UNRF2A100A
UNRF2A100A
UNRF2A100A
Artikelnummer:
UNRF2A100A
Hersteller:
Panasonic
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 100MW ML3-N2
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
54407 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
UNRF2A100A.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:ML3-N2
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):10 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:100mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-101, SOT-883
Andere Namen:UNRF2A100ATR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:3 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:150MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount ML3-N2
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:35 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):80mA
Email:[email protected]

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