TSM120NA03CR RLG
TSM120NA03CR RLG
Modèle de produit:
TSM120NA03CR RLG
Fabricant:
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description:
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27301 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
TSM120NA03CR RLG.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PDFN (5x6)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.7 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max):33W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:TSM120NA03CR RLGCT
TSM120NA03CR RLGCT-ND
TSM120NA03CRRLGCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:562pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 39A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:39A (Tc)
Email:[email protected]

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