TPH8R903NL,LQ
TPH8R903NL,LQ
Modèle de produit:
TPH8R903NL,LQ
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41559 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
TPH8R903NL,LQ.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SOP Advance (5x5)
Séries:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.9 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.6W (Ta), 24W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:TPH8R903NLLQCT
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:820pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.8nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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