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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
Modèle de produit:
TPH3206LDGB
Fabricant:
Transphorm
La description:
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
37666 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
TPH3206LDGB.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Max):±18V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:PQFN (8x8)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 8V
Dissipation de puissance (max):81W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:3-PowerDFN
Autres noms:TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):8V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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