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TPH1110ENH,L1Q
- Modèle de produit:
- TPH1110ENH,L1Q
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 30904 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TPH1110ENH,L1Q.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Séries: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENHL1QTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| Description détaillée: | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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