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TPH1110ENH,L1Q
- Número de pieza:
- TPH1110ENH,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 30904 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TPH1110ENH,L1Q.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENHL1QTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción detallada: | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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