TPCA8105(TE12L,Q,M
Modèle de produit:
TPCA8105(TE12L,Q,M
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
54069 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf2.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:1.2V @ 200µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SOP Advance (5x5)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1.6W (Ta), 20W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):12V
Description détaillée:P-Channel 12V 6A (Ta) 1.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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