TN2015H-6FP est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour TN2015H-6FP, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour TN2015H-6FP par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez TN2015H-6FP avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
TN2015H-6FP
- Modèle de produit:
- TN2015H-6FP
- Fabricant:
- STMicroelectronics
- La description:
- SCR 600V 20A TO-220FPAB
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 27736 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TN2015H-6FP.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - État (VTM) (Max): | 1.6V |
| Tension - Etat Off: | 600V |
| Tension - déclenchement (VGT) (Max): | 1.3V |
| Package composant fournisseur: | TO-220FPAB |
| Séries: | - |
| type de SCR: | Standard Recovery |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms: | 497-15954-5 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SCR 600V 20A Standard Recovery Through Hole TO-220FPAB |
| Courant - état (Il (RMS)) (Max): | 20A |
| Courant - état (Il (AV)) (Max): | 12.7A |
| Courant - État (Max): | 5µA |
| Courant -. Non Rep Surge 50, 60Hz (Itsm): | 180A, 197A |
| Courant - maintien (Ih) (Max): | 50mA |
| Courant - Déclenchement de gâchette (Igt) (Max): | 15mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes TN2015H-6FP
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement