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TK1K2A60F,S4X
- Modèle de produit:
- TK1K2A60F,S4X
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 37067 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TK1K2A60F,S4X.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 630µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220SIS |
| Séries: | U-MOSIX |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 3A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 35W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms: | TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60FS4X TK1K2A60FS4X(S |
| Température de fonctionnement: | 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | Not Applicable |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 740pF @ 300V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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