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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TK14G65W,RQ
TK14G65W,RQ
TK14G65W,RQ
Modèle de produit:
TK14G65W,RQ
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
34566 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
TK14G65W,RQ.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 690µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D2PAK
Séries:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 6.9A, 10V
Dissipation de puissance (max):130W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:TK14G65W,RQ(S
TK14G65WRQTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

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