TIPL760B-S est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour TIPL760B-S, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour TIPL760B-S par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez TIPL760B-S avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
TIPL760B-S
- Modèle de produit:
- TIPL760B-S
- Fabricant:
- Bourns, Inc.
- La description:
- TRANS NPN 1100V 4A
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 54416 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TIPL760B-S.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 400mA, 2A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-220 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 75W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 1100V 4A 75W Through Hole TO-220 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 500mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes TIPL760B-S
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash