TC58NYG0S3HBAI6 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour TC58NYG0S3HBAI6, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour TC58NYG0S3HBAI6 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez TC58NYG0S3HBAI6 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
TC58NYG0S3HBAI6
- Modèle de produit:
- TC58NYG0S3HBAI6
- Fabricant:
- Toshiba Memory America, Inc.
- La description:
- IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 27922 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TC58NYG0S3HBAI6.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 25ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | FLASH - NAND (SLC) |
| Package composant fournisseur: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 67-VFBGA |
| Autres noms: | TC58NYG0S3HBAI6JAH TC58NYG0S3HBAI6JDH |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 1Gb (128M x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| Temps d'accès: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes TC58NYG0S3HBAI6
Latest Nouvelles
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash