SY89829UHY-TR est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour SY89829UHY-TR, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour SY89829UHY-TR par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez SY89829UHY-TR avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
SY89829UHY-TR
- Modèle de produit:
- SY89829UHY-TR
- Fabricant:
- Micrel / Microchip Technology
- La description:
- IC CLK BUFFER 2:10 2GHZ 64TQFP
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 57607 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SY89829UHY-TR.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 2.37 V ~ 3.6 V |
| Type: | Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer |
| Package composant fournisseur: | 64-EP-TQFP |
| Séries: | Precision Edge® |
| Rapport - Entrée: Sortie: | 2:10 |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 64-TQFP Exposed Pad |
| Sortie: | LVPECL |
| Autres noms: | SY89829UHY TR SY89829UHY TR-ND SY89829UHYTR SY89829UHYTR-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C |
| Nombre de circuits: | 2 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 5 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Contribution: | LVDS, LVPECL |
| Fréquence - Max: | 2GHz |
| Différentiel - Entrée: Sortie: | Yes/Yes |
| Description détaillée: | Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 2:10 2GHz 64-TQFP Exposed Pad |
| Numéro de pièce de base: | SY89829 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes SY89829UHY-TR
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement